发展来看半导体技术路线年第一个晶体管问世算起，半导体技术一直在迅猛发展，现在它仍保持着强劲的发展形态趋势，继续遵循摩尔定律指明的方向前进，大尺寸、细线宽、高精度、高效率、低成本的IC生产，正在对半导体产业链带来前所未有的挑战。 集成电路在制作的完整过程中经历了材料制备、掩膜、光刻、清洗、刻蚀、掺杂、化学机械抛光等多个工序，其中尤以光刻工艺最为关键，决定着制造工艺的先进程度。随着集成电路由微米级向钠米级发展，光刻采用的光波波长也从近紫外（NUV）区间的436nm、365nm波长进入到深紫外（DUV）区间的248nm、193nm波长。目前大部分芯片制造工艺采用了248nm和193nm光刻技术。目前对于13.5nm波长的EUV极端远紫外光刻技术探讨研究也在提速前

　　发展来看半导体技术路线 /

　　在芯片制作的完整过程中，为了将掩模版上的设计线路图形转移到硅片上，第一步是要通过曝光工艺（光刻）来实现转移，然后通过刻蚀工艺得到硅图形。光刻技术最早应用于印刷行业，并且是早期制造PCB的主要技术。自20世纪50年代开始，光刻技术逐步成为集成电路芯片制造中图形转移的主流技术。 过去几十年里，芯片制造商一直使用193nm波长的ArF深紫外(DUV)光刻技术来生产芯片。 不过随着集成电路制造工艺持续微缩，尤其在进入7nm、5nm时代后，芯片集成度不断的提高，在追求更高的图形密度的目的之下，无论如何改进ArF光的生产的基本工艺，都无法再满足相应需求。 因为在7nm节点集成电路产品工艺技术的开发上，采用193浸式（193i）光刻技术需要进

　　的杰作，5nm及以下节点的多重曝光工艺 /

　　人才济济，“芯芯”向荣，ASML坚持以人才发展驱动光刻技术慢慢的提升 上海，2021年7月28日—自7月28日起，全球半导体行业的创新先锋，全球芯片光刻技术领导者ASML将通过特别打造的 追光实验室 ，在上海、武汉、合肥、北京、深圳五地进行巡展，让行业人士和高校理工科系的学生通过AR沉浸式体验，了解光刻技术的创新奥秘，体验企业的价值理念。人才招聘的大幕也同时拉开，一百多个硬件软件类工程师岗位将开放向市场。 ASML追光实验室 追光实验室 以AR体验光刻奥秘 自诞生以来，ASML不断精进光刻精度，保证摩尔定律的持续推进。通过综合了光刻成像、计算光刻技术及量测检验技术，ASML通过提供全方位的光刻解决方案，并针对量

　　不断进步 /

　　5月24日，青岛天仁微纳总部项目奠基仪式举行。 湖南六建山东分公司消息显示，青岛天仁微纳总部项目位于城阳区祥阳路106号青岛未来科技产业园区内，项目总投资约2.5亿元，占地面积约8901㎡，容积率为3.0，规划总建筑面积约31703㎡，其中地上建筑面积约26703㎡，地下建筑面积约5000㎡。 据了解，青岛天仁微纳科技有限责任公司（简称：天仁微纳）成立于2015年，是微纳加工设施和解决方案提供商，专注于纳米加工领域，该公司致力于拓展纳米压印技术在创新产品领域的应用，例如发光二极管、微纳机电系统、虚拟现实和增强现实光波导、3D传感、生物芯片、显示以及太阳能等。其官方消息显示，公司为客户提供纳米压印光刻“一站式”解决方案。 202

　　6月10日，中国科学院官网刊文称，上海光机所在计算光刻技术探讨研究方面取得重要进展。 中科院上海光学精密机械研究所信息光学与光电技术实验室，提出一种基于虚拟边（Virtual Edge）与双采样率像素化掩模图形（Mask pixelation with two-phase sampling）的快速光学邻近效应修正技术（Optical proximity correction, OPC）。仿真结果为，这技术具有较高的修正效率。 随着集成电路图形的特征尺寸不断减小，光刻系统的衍射受限属性导致明显的光学邻近效应，降低了光刻成像质量。 在光刻机软硬件不变的情况下，采用数学模型和软件算法对照明模式、掩模图形与工艺参数等来优化，可有效提高

　　制造技术

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